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垂直GaN JFET的動(dòng)態(tài)性能;美國(guó)弗吉尼亞理工學(xué)院,、州立大學(xué)和NexGen電力系統(tǒng)公司首次對(duì)垂直（GaN）功率晶體管的動(dòng)態(tài)電阻（?RON）和閾值電壓（VTH）穩(wěn)定性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)表征,。研究......
安森美斥資1.15億美元收購(gòu)Qorvo旗下SiC JFET技術(shù);近日,，onsemi（安森美）宣布,，已達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金從Qorvo收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)......
革新電路保護(hù)：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級(jí); 【導(dǎo)讀】Qorvo推出了一款750V,、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品,；其采......
單的采樣保持電路 Vs：輸出信號(hào) C：電容 S：作為開關(guān)工作的 MOS 晶體管 Va：輸入......
安森美已完成對(duì)Qorvo碳化硅JFET技術(shù)的收購(gòu);日前，安森美 (onsemi) 宣布已完成以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)Qorvo碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)......
）今日宣布,，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)......
替換為能夠大幅降低導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)變得更具價(jià)值,。對(duì)此,，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）結(jié)構(gòu)提供了關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。它具有概念上更簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)（如圖2中右下部分所示）,；此外,，得益于載流子無需先通過類似MOSFET的溝......
JFET技術(shù)及子公司 另外值得注意的是,，12月10日,，安森美宣布，已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,，將以1.15億美元現(xiàn)金收購(gòu)碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）技術(shù)業(yè)務(wù),，以及包括Qorvo子公......
美”消息，該公司已與Qorvo達(dá)成協(xié)議,，以1.15億美元（約合人民幣8.36億元）現(xiàn)金收購(gòu)其碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務(wù)及其子公司United Silicon Carbide,。不過......
用于開關(guān)小于±250 mV的信號(hào)，則泄漏電流（25?C）將為超皮安,。 圖3示出了使用增強(qiáng)模式晶體管開關(guān)作為模擬開關(guān)的示例,。圖示了SD5400-2四路DMOS開關(guān)（SD5000-2，SD-5200-2和......
革新電路保護(hù)：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固態(tài)斷路器升級(jí);Qorvo推出了一款750V,、4毫歐（mΩ）碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）產(chǎn)品,；其采......
PM155S數(shù)據(jù)手冊(cè)和產(chǎn)品信息;PM155提供低輸入電流、高壓擺率特性,，可以直接與LF155型放大器互換使用,。這款運(yùn)算放大器采用新型工藝,，匹配的JFET晶體管和標(biāo)準(zhǔn)雙極性晶體管......
? 今日宣布,，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S,。該產(chǎn)......
QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡(jiǎn)化高壓調(diào)節(jié);Charley Moser擁有EE博士學(xué)位，是我最早的模擬設(shè)計(jì)導(dǎo)師之一,。從他那里,，我學(xué)到了很多知識(shí)——混合pi晶體管建模、用于......
化硅溝槽側(cè)壁上制備的柵極具有更高的溝道遷移率,，這意味著與平面器件相比,，電子穿過溝槽柵極的阻礙較少。這能降低溝道電阻,。其次,，溝槽式金氧半場(chǎng)效晶體管可能消除平面金氧半場(chǎng)效晶體管的JFET電阻，在該區(qū)域中,，來自......
入業(yè)界以來,，他領(lǐng)導(dǎo)了新型硅絕緣柵雙極型晶體管產(chǎn)品線研發(fā)，并發(fā)起了一個(gè)在電路保護(hù)應(yīng)用中使用碳化硅JFET的研發(fā)項(xiàng)目,。他于2020年加入TechInsights并成為功率半導(dǎo)體器件的學(xué)科專家,，同時(shí)持續(xù)了解整個(gè)行業(yè)的最新發(fā)展。 ......
羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧;今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場(chǎng)效晶體管（）產(chǎn)品,。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管,，以及......
在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S,。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì),，UJ4N075004L8S 所具......
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品,；在緊湊型 D2PAK-7L?封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ?導(dǎo)通電阻 RDS(on),。此款 750V ?作為 ?全新引腳兼容 ?系列......
宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品,；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on),。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新......
Qorvo 推出D2PAK 封裝 SiC FET,，提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能;全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET......
是一種類似三明治的場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，它在接面處沒有使用氧化物隔開閘極，音響迷一定不陌生,， JFET的推動(dòng)力大,，線性高對(duì)高頻反應(yīng)又不良，是非常良好的音響用放大器材料。讀者若想看到實(shí)體物品,，走一......
供出色的功率和零干擾接收性能,，同時(shí)還內(nèi)置了全向天線”。甚至有一個(gè)帶電線的遙控器,。如今,，超共源共柵另有含義。從 1939 年的管式穩(wěn)壓器,，到早期的音頻放大器,，再到高電壓應(yīng)用中的雙極晶體管堆棧，我們可以了解到這個(gè)詞的起源,。目前......
投入到電動(dòng)車研發(fā)中，設(shè)法找到最有效的技術(shù)來盡可能提高能效,、降低體積和重量以及盡可能從昂貴的電池組中獲益,，從而延長(zhǎng)單次充電行駛里程。這讓?SiC?晶體管迅速進(jìn)入電動(dòng)車的車載充電器和直流轉(zhuǎn)換器中,。鑒于牽引逆變器處理 10......
ADA4625-1數(shù)據(jù)手冊(cè)和產(chǎn)品信息;UG-1201 介紹了用于 ADA4625-1 低噪聲,、快速穩(wěn)定單電源軌到軌輸出 (RRO) 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 運(yùn)算放大器的評(píng)估板，此評(píng)......
相形勝出 第一款向市場(chǎng)投放的碳化硅功率電晶體是在2008年,，以1,200伏結(jié)場(chǎng)效應(yīng)電晶體(JFET)的形式出現(xiàn)的。SemiSouth實(shí)驗(yàn)室遵循了JFET的方法,，因?yàn)楫?dāng)時(shí),，雙極結(jié)晶體管(BJT)和......
降低的精度，因?yàn)檫@取決于分流電阻,。雖然現(xiàn)今的技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高精度電流傳感器,，但卻無法降低損耗。 東芝的新技術(shù)采用級(jí)聯(lián)共源共柵,，將低壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）與GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET,。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET,。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
Transistor)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 *3：RoHS: Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical......
人員可以選擇符合其系統(tǒng)要求的放大器架構(gòu),，其輸入電壓、帶寬和關(guān)鍵特性分別如下： ：27V結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）輸入雙運(yùn)算放大器（op amp）,，120MHz帶寬,，500μV最大......
MOSFET或JFET 開關(guān)晶體管 PWM 源,，如Arduino Uno或555 定時(shí)器，可生成 50KHz、5V,、75% 占空比 2,、DC-DC 升壓電路工作原理圖 DC-DC 升壓電路......
一個(gè) MOSFET或JFET 開關(guān)晶體管 PWM 源，如Arduino Uno或555 定時(shí)器,，可生成 50KHz,、5V、75% 占空......
直到現(xiàn)在行業(yè)中還沒有哪種解決方案能夠全面測(cè)試其在各種工作電壓下的電容性能,。B1507A 將會(huì)填補(bǔ)這一空白,，對(duì)功率器件執(zhí)行完整、可靠,、自動(dòng)化的電容測(cè)試,。” B1507A 的關(guān)鍵特性包括： ·易于使用,，能夠?qū)Ω咂秒妷合碌?font color='#FC5C18'>晶體管輸入,、輸出和反向傳輸電容（Ciss......
MOS管基礎(chǔ)及選型指南;，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導(dǎo)體（Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管,，是一種應(yīng)用場(chǎng)效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件,。本文引用地址： 和普通雙極型晶體管......
中，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻,，比目前市場(chǎng)同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs,、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10 倍。 的 750V 額定......
元市場(chǎng)規(guī)模,。傳統(tǒng)的硅基設(shè)備（包括整流器,、晶閘管、雙極型晶體管,、X-FET如MOSFET,、JFET等、IGBT模塊及IPM）在某些應(yīng)用中會(huì)有所增長(zhǎng),，但在其他市場(chǎng)正逐步被寬帶隙（WBG）技術(shù)......
CAMECA LEAP 4000X HR 目標(biāo)分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET UnitedSiC UJ4C075018K4S的額定電壓為750 V,，導(dǎo)通電阻（RDS.（ON））為18mΩ......
4000X HR 目標(biāo)分析器件–UnitedSiC第四代SiC JFET UnitedSiC UJ4C075018K4S的額定電壓為750 V，導(dǎo)通電阻(RDS.(ON))為18mΩ......
須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解,。 BJT 雙極性晶體管,，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)(以PNP型BJT為例)如下圖所示,。 BJT內(nèi)部......
前市場(chǎng)同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs,、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10 倍。SiC FETs 的 750V 額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150V......
個(gè)表中還顯示了每次實(shí)驗(yàn)測(cè)定的Si、C和Al含量,。? 表1：由APT確定的JFET門區(qū)成分 值得注意的是,，APT重構(gòu)揭示了Al在柵極區(qū)域內(nèi)的極不均勻分布，這表明它與SiC中的晶體缺陷分離（圖5）,。這些......
二極管的功能是為電路提供短路保護(hù)。 ▲ 圖1.1 恒流二極管的符號(hào) 二,、恒流二極管工作原理 恒流二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示,。該二極管包括一個(gè) N 溝道 JFET 晶體管，其中晶體管......
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望;碳化硅（）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（）作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,，具有頻率高,、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì),，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,，具有巨大的研究?jī)r(jià)值?；仡?.....
合，成為 SiC?晶體管領(lǐng)域的基準(zhǔn),。該設(shè)計(jì)的特殊功能包括通過自對(duì)準(zhǔn)工藝將通道定向?yàn)閱我?font color='#FC5C18'>晶體取向,。這確保了的溝道遷移率和窄的閾值電壓分布。另一個(gè)特點(diǎn)是深 p 溝槽在中心與實(shí)際 MOS 溝槽相交,，以允......
能會(huì)使性能受損 ? 有些方法可以將SiC FET器件的dV/dt有效控制在從45V/ns至5V/ns的范圍內(nèi),，而不會(huì)導(dǎo)致過長(zhǎng)的延遲時(shí)間。這三種方法是：外部柵漏電容,、器件RC緩沖電路和JFET直接驅(qū)動(dòng),，它們......
，在 TOLL 封裝中,，Qorvo 的器件具有最低 5.4 mΩ 的導(dǎo)通電阻,，比目前市場(chǎng)同類產(chǎn)品中最好的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶體管的導(dǎo)通阻抗還要低上 4-10......
電場(chǎng)緩和技術(shù)的溝槽柵極半導(dǎo)體器件,，提高了每個(gè)芯片的輸出，因?yàn)樗鼈儨p少了由發(fā)熱引起的功率損耗,，獨(dú)特的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了高電壓和低導(dǎo)通電阻操作,。 住友電工 住友電工利用獨(dú)特的晶面新開發(fā)了V形槽溝槽金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管......
斥資1.15億美元,，安森美宣布收購(gòu)Qorvo SiC JFET業(yè)務(wù);這一收購(gòu)將顯著提升安森美在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的市場(chǎng)地位,，并增強(qiáng)其在電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和可再生能源市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。 據(jù)官方新聞稿線上,，安森......

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類電子元器件,，主要產(chǎn)品包括：高頻中,、小功率晶體管、玻璃封裝硅功率二極管,、高壓硅堆,、單相、三相橋式硅整流器,、高頻大功率晶體管,、低頻大功率PNP,、NPN晶體管、功率晶體開關(guān)管,、達(dá)林頓PNP,、NPN功率晶體管、功率MOS
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